ゾーンメルト法とは、半導体材料の精製や結晶成長などの製造プロセスにおいて使用される技術の一つです。ゾーンメルト法は、特定の温度範囲で結晶成長を行うことができるため、高純度で結晶構造の均一な材料を作製することができます。
ゾーンメルト法では、シリコンやゲルマニウムなどの半導体原料を特殊な炉の中に入れ、加熱して溶融させます。その後、炉内に電磁誘導コイルを配置し、高周波電流を流すことで、溶融した材料を動かします。このとき、炉内の温度分布や材料の流れ方によって、材料中にある不純物や結晶欠陥が排除され、結晶成長が促進されます。
このようにして、高純度で結晶構造の均一な半導体材料を製造することができます。また、ゾーンメルト法は、精密な結晶成長を実現できるため、半導体デバイスや光デバイスなどの製造にも利用されます。さらに、ゾーンメルト法は、原子レベルでの制御が可能であり、微細加工技術の進歩とともに、今後も高度な半導体材料の製造において重要な技術として利用されていくことが期待されます。
